10.3.1.3 - O DIODO DE TÚNEL
Dr. Leo Esaki, inventor do diodo de túnel. (Electronic World)
Ilustração do diodo de túnel.

.  Em, 1929, este tipo de dispositivo já havia sido  previsto  por George Gamow - físico americano que iniciou estudos pra explicar a grande emissão de neutrinos vindas  de explosões termonucleares do interior solar -  e, recebeu esta denominação devida seu principio  operacional estar relacionado com um conceito da mecânica quântica, cuja probabilidade do elétron afunilar-se através de uma barreira de energia a qual não pode  superar. O diodo de túnel surge em 1958 advindo das pesquisas do cientista japonês Dr. Leo Esaki  efetuadas nos laboratórios de desenvolvimento da Sony Corporation, no Japão.
Sua concepção consistia na formação de uma junção bastante abrupta entre as regiões P e N de uma matriz de Germânio com alto teor de impurezas, obtendo-se uma área de depleção bem fina, da ordem de centésimos de mícron.
De uma forma geral o comportamento deste tipo de diodo, correspondia ao efeito de resistência negativa, o que permitia o seu emprego em topologias de circuito para aplicações em alta freqüência, amplificação ou mesmo comutação.       .
Devido a sua extrema velocidade de processamento de sinais, cerca de 100 pico segundo, descortinou-se um grande futuro para o diodo de túnel.
Entretanto, este interesse  logo se desvaneceu  não somente pelo rápido desenvolvimento da tecnologia de processo de fabricação de transistores, mas, também,  pelo aparecimento do circuito integrado que tornou  o elemento fundamental para fabricação da memória dos computadores, área esta que fora  originalmente o alvo do diodo inventado pelo Dr. Esaki.
Como visto, a necessidade de dispositivos semicondutores de repostas ultra-rápidas e, para operar em freqüências  elevadíssimas, na faixa compreendida além do espectro visível, ganhava grande impulso no início da década de 1960. Assim muitos destes  dispositivos  foram oriundos de novos materiais de tecnologia avançada, como o Arsenieto de Gálio e, o Fosfêto de Índio, os quais foram as bases para o desenvolvimento do diodo de emissão de luz, ou L.E.D. (Light Emitting Diode).