Em 1957, engenheiros
do laboratório de pesquisa da "General Electric" desenvolve um tipo
de diodo cuja configuração consistia de uma junção tipo PNPN, fabricado
em matriz de Silício, surgindo assim o diodo retificador de Silício
- SCR" (Silicon Controlled Rectifier). Denominado, também, de "Tiristor
de bloqueio
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Diversos tipos de diodos retificadores de
Silício. |
reverso",
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Ilustração de alguns tipos de TRIACS. |
cujo principio operacional básico consiste no bloqueio do fluxo da
corrente positiva vindo do anodo e catodo pela ação de controle exercido
pela porta ou gate, daí originando a sua designação: retificador controlado
a Silício. Devido às características em suportar temperaturas mais
elevadas e, tendo assim maior poder de dissipação térmica, este tipo
de diodo tem na sua principal aplicação atuar como elemento retificador
em circuitos de potência. Na realidade o termo "Tiristor" é um nome
genérico para uma família de dispositivos semicondutores conhecidos
como "DIACS", "TRIACS" e, dos diodos de quatro camadas. Semelhante
ao ocorrido com o desenvolvimento dos dispositivos anteriormente vistos
é interessante notar que um dos casos clássicos do resultado da pesquisa
fundamental sobre semicondutores foi o aparecimento do diodo de túnel. |
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